2Mbit 非易失性铁电存储器
• 结构容量为256K x 8位
• 读/写次数达到100万亿(10¹⁴)次
• 掉电数据保存10年
• 写数据无延迟
• 采用先进的高可靠性铁电制造工艺

高速串行外设接口- SPI
• 总线频率可达40MHZ
• 硬件上可直接替换串行Flash
• SPI模式0&3（CPOL,CPHA=0,0&1,1）

写保护机制
• 硬件保护
• 软件保护

低功耗
• 工作电压：2.7V~3.6V
• 睡眠模式电流（典型值）：3μA

工业级配置
• 工业级温度 -40°C ~ +85°C
• 8引脚 “绿色”/RoHS TDFN 封装
• 8引脚 "绿色"/RoHS EIAJ SOIC 封装