详细说明:
4Mbit非易失性铁电存储器
• 结构容量为256K×16位
• 可用/UB, /LB设置成512K×8位
• 读/写次数达到100万亿次(1014) 次
• 写数据无延迟
• 页面模式运行可达到40MHz
• 采用先进的高可靠性铁电制造工艺
可兼容SRAM
• 符合JEDEC 256K×16 SRAM 引脚标准
• 访问时间:55ns,周期:110ns
优于带后备电池SRAM模块
• 没有电池忧虑
• 整体可靠性
低功耗操作
• 工作电压:2.7V - 3.6V
• 超低待机电流:使用ZZ引脚
• 工作电流:18mA
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