详细说明:
256Kbit位非易失性铁电存储器
• 结构容量为32,768×8位
• 读/写次数为1万亿次
• 掉电数据保存45年
• 写数据无延迟
• 采用先进的高可靠性铁电制造工艺
优于带后备电池SRAM
• 没有电池忧虑
• 整体可靠性
• 真正的表面贴片安装解决方案,没有返工步骤
• 防止潮湿,冲击和震动的危害
• 抵抗负电压脉冲能力
可兼容SRAM&EEPROM
• 符合JEDEC 32K×8 SRAM & EEPROM引脚标准
• 访问时间:70ns
• 周期:130ns
低功耗操作
• 工作电流:25mA
• 待机电流:20uA
工业标准
• 工业级温度:-40℃至+85℃
• 28脚SOIC或DIP封装
订购信息
• FM1808-70-P 70 ns访问时间,28脚塑料 DIP封装
• FM1808-70-PG 70 ns访问时间,28脚塑料 DIP - 环保封装
• FM1808-70-S 70 ns访问时间,28脚SOIC封装
• FM1808-70-SG 70 ns访问时间,28脚环保SOIC - 环保封装
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