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MHP-TAM Devices Reliable Overtemperature Protection(英文版)
MHP-TAM Devices Reliable
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TE电路保护器件介绍
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选择适合的 PolySwitch PPTC 器件
电路保护部门的 Barry Brents 就设计者
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高速信号和瞬变 (如ESD) 还带来了另一个寄生特性—电感。尤其值得关注的是用来实现连接器、芯片及其他任何配套元件之间互连的电路板上迹线的寄生电感。与电容效应相似,由电路板迹线所产生的电感将不会影响低频信号。但是,在高速条件下,这种电感将产生有可能影响信号完整性的阻抗分量。当高频信号 (如ESD) 通过时,少量的迹线电感可能转换成巨大的阻抗。设计师可通过在 ESD 抑制器和受保护芯片之间设置尽可能大的距离的方法来利用上述特性来完善 ESD 器件和 IC 本身间的协同、偶合。
低电容 ESD 保护对于高速条件下保持数据的完整性是非常关键的。在常见的瞬间过电压抑制器件中,金属氧化物压敏电阻 (MOV) 和多层压敏电阻 (MLV) 因价廉物美而应用广泛。但其固有的高电容决定了其应用范围只能局限于低频领域和电源的瞬间电压抑制上。而硅类 ESD 防护器件,包括齐纳二极管、TVS 二极管/阵列等,虽然具有保护电压低而准确的优点,其寄生电容依旧不可忽视,通常难以适用于高速数据通讯接口,如 HDMI,IEEE1394 等。
为满足高速数据通讯接口既 ESD 保护有效、又不影响高速信号传输的要求。近年来,市场上推出了多种专门适用于此类保护要求的器件。其中以瑞侃电路保护部门 (RCP: Raychem Circuit Protection) 推出的 PESD 器件为代表。该器件的电容极低 (通常0.25pF),漏电流极小 (<0.001A);ESD 防护快速有效(响应曲线如图 3 所示,触发电压典型值为 150~250V;响应时间少于 1ns);价格低于低电容硅器件。因此,在高速数据传输条件下,PESD 器件拥有更佳的保护应用特性。该器件已成功应用于 HDMI1.3 和 USB2.0 等多种高速接口电路。
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图 3:PESD 器件的 ESD 抑制曲线
图 4、图 5 和 图 6 展示了利用TE电路保护部门 PESD 器件对 HDMI1.3、USB2.0 和 IEEE1394 接口电路进行保护的典型应用。这些保护将 ESD 与敏感电路隔离。在传输线路脉冲 (TLP) 测试和 IEC61000-4-2 测试中,尤其是经过多次采样(1000次TLP测试)后,其性能要比其他可比较的元件好。相对于其他典型的聚合物 ESD 防护器件,这类 PESD 器件的较低触发电压 (通常150V) 和低箝位电压 (通常25V) 能更好的帮助保护敏感电子元件。该器件采用电子工业中最流行的 0603 和 0402 贴装形式,符合 RoHS 的严格要求;帮助机顶盒敏感电路、手提电脑、手机和其它便携式设备免 ESD 侵害。
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图 4:HDMI 接口电路中典型的 ESD 防护设计原理图
(基于 HDMI 技术规范 版本 1.2)
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图 5:采用 PESD 静电抑制器和 PolySwitch 过流保护装置的典型 USB 2.0 接口电路
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图 6:IEEE1394 电路保护典型设计图
当选择了一个抑制和电特性(漏电流、电容)与电路参数相吻合的 ESD 抑制器之后 (如PESD),还需要作出另一项选择:抑制器应安装在电路板的什么位置上才能优化电路的 ESD 保护? “优化” ESD 保护指的是使受保护芯片上的 ESD 瞬变尽可能少。简单地讲,应把 ESD 抑制器直接放置在连接器的后面。它应该是第一个遭遇 ESD 瞬变的板级元件。然后,在实际可行的情况下,任何需要保护的芯片均应尽可能地远离 ESD 抑制器。采取这一方法将极大地减轻集成电路所承受的应力。下面列出的是 PESD 器件安装位置的相对优先级,按从高到低的顺序排列如下:
• 设置于作为系统屏蔽 (机壳) 中的入口的连接器的内部
• 安放于电路板迹线与连接器插脚相互作用的位置
• 放置于电路板上紧挨在连接器后面的位置
• 位于可以高效耦合至 I/O 线路的性能稳定且未受保护的传输线路
• 设置于数据传输线路上的一个串联阻性元件之前
• 位于数据传输线路上的一个分支点之前
• 靠近 IC 和/或 ASI
另一个需要考虑的布局问题是从 PESD 到被保护 IC 的距离和耦合器件的选择。目标是将该距离降至最小。需要保护的 IC 通常自身带有 ESD 保护。但这只属于器件级的防护,且一致性较差,需要 PESD 器件协助/偶合达到设备/系统级的 ESD 防护。随着与传输线路之间距离的增加,ESD 抑制器变得越发与受其保护的信号线“隔离” 开来。与电路板走线相关联的电感以及任何的封装寄生电感都将在保护电路中加入阻抗,成为 PESD 电压抑制器和 IC 间的偶合阻抗。因为 IC 芯片将要承受抑制器两端和偶合阻抗两端的电压之和,理想的设计应使 PESD 尽可能多承受应力,同时保证两级防护间没有遗漏的“死角”。
最后,机壳 (框架) 的地应是 ESD 基准,而不是信号(数字)地。目的是把 ESD 从信号环境中屏蔽出去。使 ESD TVS 保护器件以机壳的地为基准,则可免受那些不希望的噪声效应 (如接地反跳) 的影响。目标是尽量保持“干净” 的信号 (数据) 环境。