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SIC118xKQ 汽车级单通道SiC MOSFET和IGBT门极驱动器,可提供高级有源钳位和加强绝缘
来源:PI  时间:2020-09-07

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典型应用基本原理图

视频

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Introduction to SCALE-iDriver

数据手册


SIC118xKQ 数据手册

最大8A的汽车级单通道SiC MOSFET和IGBT门极驱动器,可提供高级有源钳位和1200V加强绝缘

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产品详情


SIC1181KQ和SIC1182KQ是适合SiC MOSFET的单通道门极驱动器。该器件利用Power Integrations革命性的固体绝缘FluxLink技术实现了加强绝缘。其峰值输出驱动电流可达±8A,可直接驱动600A/800A(典型值)以下的开关器件。

该器件还具有原方和副方欠压保护(UVLO)、带温度和过程补偿输出阻抗的轨到轨输出等更多特性,可确保产品即使在严苛的条件下也能安全工作。

此外,这款门极驱动器IC还具有AAC高级有源钳位(关断时)特性,可通过一个检测管脚同时提供短路保护(开通时和开通过程中)和过压限制。 对于具有电流检测端子的SIC MOSFET,可实现可调过流检测。

应用概述


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主要特征


高度集成,外形紧凑

•±8 A峰值门极输出电流

•集成的FluxLink™技术提供加强绝缘

•SiC MOSFET优化的高级有源钳位

•超快速短路检测 • 原方和副方欠压保护(UVLO)

•轨到轨输出电压且稳压

•副方单极电源供电

•开关频率最高至150 kHz

• ±5 ns传输延迟抖动

• -40 °C至+125 °C工作环境温度

• 具有较高的共模瞬态抗扰性

• 采用9.5 mm电气间隙和爬电距离的eSOP封装,CTI 600


保护/安全特性

•原方和副方欠压保护(包括故障反馈)

•电流检测端子可提供SiC MOSFET过流检测

•超快速短路检测、关断和报告

•SiC MOSFET关断期间过压限制


完全符合各项安规要求

•产品100%进行局部放电测试

•产品100%进行8000 V峰值1秒的HIPOT合规性测试

•VDE 0884-11的加强绝缘认证正在审核中

•UL 1577认证正在申请中

•AEC Q-100汽车级1级标准认证


环保封装

•无卤素且符合RoHS标准


应用

•纯电动汽车(BEV)牵引驱动

•混合动力汽车(PHEV)牵引驱动

•电动汽车车载和非车载充电机

产品型谱


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注释:1. 封装:K: eSOP-R16B.

产品资料


AN-1601: Controlling SiC MOSFET Power Switches with SCALE-2 and SCALE-2+ Gate Drivers Cores and SCALE-iDriver Gate Driver ICs

General Package Information

Moisture Sensitivity Level (MSL) Packaging Information

Articles and Whitepapers


SCALE-iDriver SIC11xxKQ Gate Driver IC Family AEC-Q100 Qualification Report

PI 线上直播点看 - 电动汽车专用高压电源和门极驱动解决方案

产品图片


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