根据Omdia的一项新研究，在电动汽车和光伏应用需求的推动下，预计到2020年底，SiC MOSFET的全球市场规模将达到3.2亿美元。凭借更高的击穿电压、更好的热性能和更低的开关损耗，SiC MOSFET正在取代硅MOSFET和IGBT，并已成为制造更小更轻的逆变器的热门选择。
PI的SIC1182K和汽车级SIC118xKQ SCALE-iDriver IC是单通道SiC MOSFET门极驱动器，可提供最大峰值输出门极电流且无需外部推动级。 SCALE-2门极驱动核和其他SCALE-iDriver门极驱动器IC还支持不同SiC架构中的不同电压，允许使用SiC MOSFET进行安全有效的设计。
为何使用SCALE门极驱动器来驱动SiC MOSFET？
可以通过外部VEE电路来调整门极电压
≤2µs的超快速短路关断
大输出电流及绝缘能力
带dv/dt反馈的动态高级有源钳位
开关频率可高达500 kHz
深入了解：
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下载应用指南AN-1601 - 使用SCALE门极驱动器控制SiC MOSFET功率开关
