典型应用原理图
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SIC1182K是采用eSOP-R16B封装的单通道SiC MOSFET门极驱动器。该器件利用Power Integrations革命性的固体绝缘FluxLink技术实现了加强绝缘。其峰值输出驱动电流可达±8A,可直接驱动600A(典型值)以下的开关器件。
该器件还具有原方和副方欠压保护(UVLO)、带温度和过程补偿输出阻抗的轨到轨输出等更多特性,可确保产品即使在严苛的条件下也能安全工作。
此外,这款门极驱动器IC还具有一项新特性 —— 高级有源钳位(关断时),可通过一个检测管脚同时提供短路保护(开通时和开通过程中)和过压限制。如果所驱动的半导体提供电流检测端子,则支持可调过流检测。
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主要特征
高度集成,外形紧凑
适合600V/650V/1200V SiC MOSFET功率开关
±8A峰值门极输出电流
集成的FluxLink™技术提供加强绝缘
高级有源钳位功能
原方和副方欠压保护(UVLO)
过流故障关断
短路故障关断
轨到轨输出电压且稳压
副方单电源供电
开关频率最高至150kHz
±5ns传输延迟抖动
-40℃至+125℃工作环境温度
具有较高的共模瞬态抗扰性
采用9.5mm电气间隙和爬电距离的eSOP封装
保护/安全特性
原方和副方欠压保护(包括故障反馈)
电流检测端子可提供SiC MOSFET过流检测
超快速短路检测
关断过压限制(高级有源钳位)
完全符合各项安规要求
产品100%进行局部放电测试
产品100%进行HIPOT合规性测试
VDE 0884-10的加强绝缘认证正在申请中
UL 1577认证正在申请中
环保封装
无卤素且符合RoHS标准
应用
通用变频器和伺服驱动器
UPS、光伏逆变器(PV)、电焊机和电源
其他工业应用
产品型谱
注释:
封装 - K:eSOP-R16B。
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