使用无铁芯变压器(CT)和电平转换技术(LS-SOI)的英飞凌EiceDRIVER™系列可以满足电力驱动应用中对高性能栅极驱动器芯片的需求。通过将EiceDRIVER™芯片与CoolMOS™等 MOSFET、IGBT及分立器件和模块中的碳化硅(SiC)功率器件结合使用，客户可以设计并构建可靠高效的系统。
| ››单通道产品1ED020I12-F2和1ED020I12-B2都有去饱和检测(DESAT)、有源米勒箝位、欠压闭锁(UVLO)和掉电保护特性。 |
| ››1ED020I12-FT和1ED020I12-BT支持两电平关闭(TLTO)，可在过流时安全关断器件。2ED020I12-F2在一个紧凑型封装中实现了两个独立的通道，提供与 1ED020I12-F2相同的功能。 |
| ››半桥驱动器芯片2ED020I12-FI和2ED020I06-FI具有失电关断保护和互锁功能。 |
| ››1200V的驱动芯片2ED020I12-FI自带运算放大器(OpAmp)和比较器(Comp)， 可以用在电流测量或过压检测电路中。 |
| ››三相驱动器芯6EDL04I06NT和6EDL04I06PT提供针对IGBT级别的欠压闭锁、过流关断 (ITRIP)、互锁和使能(EN)等基本功能，另外内部集成了自举二极管。 |
| ››6EDL04N06PT和 6EDL04N02PR针对MOSFET的驱动操作进行了优化。 |
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