新推出的600 V CoolMOS™ P7，是英飞凌完美平衡出色性能和易用性以及具有竞争力的价位的高压MOSFET解决方案。相比竞争产品，最新推出的这个CoolMOS™产品系列的能效提高1.5%，MOSFET温度降低4.2°C。600 V CoolMOS™ P7产品适用于标准级和工业级应用，客户可根据自身应用要求选用适当型号。

实际应用测试结果表明，较之最常见的竞争产品，600 V CoolMOS™ P7有助于提高能效，并可实现平滑的波形、出色的静电防护和更强大的硬换流抗受能力。得益于这些特性，设计工程师可以轻松设计出具备高能效、高功率密度、优异坚固性和散热性能的电源转换器。

600 V CoolMOS™ P7的优势

››适用于硬开关和软开关（PFC和LLC）

››低振铃倾向，确保易于使用，支持快速完成二次设计

››低开关损耗和导通损耗，实现良好的散热性能

››静电防护能力达到2 kV以上，提高生产质量

››使用更小巧的产品，打造功率密度更高的解决方案

››适合标准级和工业级应用

应用 推荐型号

Industrial grade
R DS(on) [mΩ]	TO-252 DPAK	TO-252  D2PAK	ThinPAK 8x8	TO-220 FullPAK
600	IPD60R600P7			IPA60R600P7
360/365	IPD60R360P7	IPB60R360P7*	IPL60R365P7	IPA60R360P7
280/285	IPD60R280P7	IPB60R280P7*	IPL60R285P7*	IPA60R280P7
180/185	IPD60R180P7	IPB60R180P7*	IPL60R185P7	IPA60R180P7
120/125		IPB60R120P7*	IPL60R125P7*	IPA60R120P7
99/105		IPB60R099P7*	IPL60R105P7*	IPA60R099P7
80		IPB60R080P7*	IPL60R085P7*	IPA60R080P7
60/65		IPB60R060P7*	IPL60R065P7*	IPA60R060P7
	TO-220	TO-247	TO-247 4pin
600	IPP60R600P7
360/365	IPP60R360P7
280/285	IPP60R280P7
180/185	IPP60R180P7**	IPW60R180P7	IPZ60R180P7*
120/125	IPP60R120P7	IPW60R120P7	IPZ60R120P7*
99/104	IPP60R099P7	IPW60R099P7	IPZ60R099P7*
80	IPP60R080P7	IPW60R080P7	IPZ60R080P7*
60/65	IPP60R060P7	IPW60R060P7	IPZ60R060P7*
37		IPW60R037P7	IPZ60R037P7

Standard grade
	TO-220 FullPAK	TO-220 FullPAK Wide Creepage	SOT-223	DPAK
600	IPA60R600P7S	IPAW60R600P7S	IPN60R600P7S*	IPD60R600P7S
360/365	IPA60R360P7S	IPAW60R360P7S	IPN60R360P7S*	IPD60R360P7S
280/285	IPA60R280P7S	IPAW60R280P7S		IPD60R280P7S
180/185	IPA60R180P7S	IPAW60R180P7S		IPD60R180P7S

Infineon CoolMOS™ 700V P7功率晶体管采用CoolMOS，它是高压功率MOSFET的一项革命性技术。 该款700V晶体管按照超级结(SJ)原理进行设计，由Infineon Technologies首创。 最新的700V CoolMOS P7是一个经过优化的平台，根据消费市场的目标成本敏感型应用而量身定制，例如充电器、适配器、照明、电视等。

该全新系列不但具有快速开关超级结MOSFET的所有优势，而且性价比和易用性极高。 该技术达到最高效率标准，并支持高功率密度，从而助力客户实现超薄设计。

目标应用

• 推荐用于反激式拓扑结构，例如充电器、适配器、照明应用等

推荐型号

Standard grade
R DS(on) [mΩ]	TO-220 FullPAK	TO-252 DPAK	TO-251 IPAK Short Lead	ESD class
				HBM	CDM
2000				Class 1C (1kV-2kV)	Class C3  (≥1kV)
1400		IPD70R1K4P7S	IPS70R1K4P7S
1200
900	IPA70R900P7S*	IPD70R900P7S	IPS70R900P7S
750	IPA70R750P7S*
600	IPA70R600P7S**	IPD70R600P7S	IPS70R600P7S	Class 2 (2kV-4kV)
450	IPA70R450P7S*
360	IPA70R360P7S	IPD70R360P7S	IPS70R360P7S

Standard grade
R DS(on) [mΩ]	TO-220 FullPAK Narrow Lead	TO-251 IPAK Short Lead with ISO-Standoff	SOT-223	ESD class
				HBM	CDM
2000		IPSA70R2K0P7S*	IPN70R2K0P7S*	Class 1C (1kV-2kV)	Class C3  (≥1kV)
1400		IPSA70R1K4P7S*	IPN70R1K4P7S*
1200		IPSA70R1K2P7S*	IPN70R1K2P7S*
900		IPSA70R900P7S*	IPN70R900P7S*
750		IPSA70R750P7S*	IPN70R750P7S*
600	IPAN70R600P7S	IPSA70R600P7S*	IPN70R600P7S*	Class 2 (2kV-4kV)
450		IPSA70R450P7S*
360	IPAN70R360P7S	IPSA70R360P7S*

Infineon CoolMOS™ 800V P7功率晶体管结合了同类最佳性能和易用性两大优势。 P7在800V超级结技术方面树立了新基准。 该晶体管具有高达0.6%的效率增益和2°C至8°C的较低MOSFET温度。

该晶体管具有经过优化的器件参数，如Eoss和Qg下降50%以上，Ciss和Coss也降低。 CoolMOS™ P7还通过较低的开关损耗和更好的DPAK RDS(on)产品实现较高的功率密度设计。 CoolMOS™ P7非常适合用于低功耗SMPS应用。

目标应用

• 建议用于LED照明的硬和软开关反激式拓扑、低功耗充电器和适配器、音频、AUX电源和工业电源、消费类应用中的PFC级、太阳能等

推荐型号

Industrial grade
R DS(on) [mΩ]	TO-220 FullPAK	TO-220 FP Narrow Lead	TO-252 DPAK	TO-220	ESD class
					HBM	CDM
4500			IPD80R4K5P7		Class 1C (1kV-2kV)	Class C3 (≥1kV)
3300			IPD80R3K3P7
2400			IPD80R2K4P7
2000			IPD80R2K0P7
1400	IPA80R1K4P7		IPD80R1K4P7	IPP80R1K4P7
1200	IPA80R1K2P7		IPD80R1K2P7	IPP80R1K2P7	Class 2 (2kV-4kV)
900	IPA80R900P7		IPD80R900P7	IPP80R900P7
750	IPA80R750P7		IPD80R750P7	IPP80R750P7
600	IPA80R600P7		IPD80R600P7	IPP80R600P7
450	IPA80R450P7*	IPAN80R450P7	IPD80R450P7	IPP80R450P7
360	IPA80R360P7	IPAN80R360P7	IPD80R360P7	IPP80R360P7
280	IPA80R280P7	IPAN80R280P7	IPD80R280P7	IPP80R280P7

Industrial grade
R DS(on) [mΩ]	TO-247	TO-251 IPAK	TO-251 IPAK SL	ESD class
				HBM	CDM
4500		IPU80R4K5P7		Class 1C   (1kV-2kV)	Class C3  (≥1kV)
3300		IPU80R3K3P7
2400*		IPU80R2K4P7	IPS80R2K4P7
2000		IPU80R2K0P7	IPS80R2K0P7
1400		IPU80R1K4P7	IPS80R1K4P7
1200		IPU80R1K2P7	IPS80R1K2P7	Class 2  (2kV-4kV)
900		IPU80R900P7	IPS80R900P7
750		IPU80R750P7	IPS80R750P7
600		IPU80R600P7	IPS80R600P7
360	IPW80R360P7
280	IPW80R280P7