详细说明：

IRLML6302PBF 全新原装正品大量现货，只做原装可以承诺假一赔十
数据列表 IRLML6302PbF
 
产品相片 SOT-23
 
产品培训模块 High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
 
设计资源 IRLML6302TR Saber Model
IRLML6302TR Spice Model
 
标准包装 3,000
类别 分立半导体产品
家庭 FET - 单
系列 HEXFET®
FET 类型 MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能 逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss) 20V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） 780mA
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） 600 毫欧 @ 610mA，4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） 1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 3.6nC @ 4.45V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 97pF @ 15V
功率 - 最大值 540mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装 Micro3™/SOT-23
包装 带卷 (TR)