产品名称：【供应】供应美国PECVD等离子增强化学气相沉积
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发布时间：2015-04-17
详细说明：
等离子体增强化学气相沉积技术原理是利用低温等离子体作能量源，样品置于低气压下辉光放电的阴极上，利用辉光放电（或另加发热体）使样品升温到预定的温度，然后通入适量的反应气体，气体经一系列化学反应和等离子体反应，在样品表面形成固态薄膜。PECVD方法区别于其它CVD方法的特点在于等离子体中含有大量高能量的电子，它们可以提供化学气相沉积过程所需的激活能。电子与气相分子的碰撞可以促进气体分子的分解、化合、激发和电离过程，生成活性很高的各种化学基团，因而显著降低CVD薄膜沉积的温度范围，使得原来需要在高温下才能进行的CVD过程得以在低温实现。由于PECVD方法的主要应用领域是一些绝缘介质薄膜的低温沉积，因而PECVD技术中等离子体的产生也多借助于射频的方法。
我公司的等PECVD离子增强沉积系统可沉积薄膜：氧化物薄膜、氮化物薄膜，氮氧化物薄膜、无定形硅薄膜和碳化硅薄膜等等，根据电极的配置，可用于单基片工艺，也可配备承片盘，处理基片(3”~12”尺寸)，或者多尺寸批处理基片(4x3”，3x4”，7x2”)。产品型号，有研发型，小规模生产型适用于不同的客户要求。
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