详细说明：

片式晶体二极管属于最基础的片式半导体器件，其最重要的性质就是单向导电特性。半导体是一种特殊性质的物质，它不像导体一样可以导电，也不像绝缘体那样不能导电，而是介于二者之间，所以称之为半导体，在半导体中有二种最重要的元素就是硅和锗，晶体二极管根据所用的半导体材料，可分为锗二极管（Ge管）和硅二极管（Si管）。
    晶体二极管的实质是一个由P型半导体和N型半导体形成的“PN结”，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于“PN结”两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等，而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用，使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压达到一定程度时，P-N结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，形成大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。