IXTQ200N10P

    IXYS

    2012

2500

TO-247

0元/原装进口，深圳现货

2013-06

    IXTQ100N25P

    IXYS

    2013

6500

TO-247

0元/数据列表 IXT(K,Q,T)100N25P 产品相片 TO-3P-3,TO-247-3 标准包装 30 类别 分立半导体产品 家庭 FET - 单 系列 PolarHT™ 包装 管件 FET 类型 MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能 标准 漏源极电压 (Vdss) 250V 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） 100A 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） 24 毫欧 @ 50A，10V 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） 5V @

2013-06

    IXTP120P65T

    IXYS

    2012

5000

TO-247

0元/原装进口，深圳现货

2013-06

    IXTA180N10T7

    IXYS

    2012

56800

TO-263

0元/数据列表 IXTA180N10T7 产品相片 D2Pak_TO-263_6leads 标准包装 50 类别 分立半导体产品 家庭 FET - 单 系列 TrenchMV™ 包装 管件 FET 类型 MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能 标准 漏源极电压 (Vdss) 100V 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） 180A 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） 6.4 毫欧 @ 25A，10V 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） 4.5V

2013-06

    IXGH28N120BD1

    IXYS

    2012

65800

TO-247

0元/数据列表 IXG(H,T)28N120BD1 产品相片 TO-247-3 标准包装 30 类别 分立半导体产品 家庭 IGBT - 单路 系列 - 包装 管件 IGBT 类型 PT 电压 - 集射极击穿（最大值） 1200V 不同 Vge、Ic 时的 Vce(on) 3.5V @ 15V，28A 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 50A Current - Collector Pulsed (Icm) 150A 功率 - 最大值 250W Switching Energy 2

2013-06

    IXFP7N100P

    IXYS

    2012

46000

TO-220

0元/数据列表 IXF(A,P)7N100P 产品相片 TO-220-3, TO-220AB 标准包装 50 类别 分立半导体产品 家庭 FET - 单 系列 Polar™ HiPerFET™ 包装 管件 FET 类型 MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能 标准 漏源极电压 (Vdss) 1000V（1kV） 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） 7A 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） 1.9 欧姆 @ 3.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs(t

2013-06

    IXFH320N10T2

    IXYS

    2012

65000

TO-247

0元/数据列表 IXF(H,T)320N10T2 产品相片 TO-247-3 标准包装 30 类别 分立半导体产品 家庭 FET - 单 系列 Trench™ HiPerFET™ 包装 管件 FET 类型 MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能 标准 漏源极电压 (Vdss) 100V 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） 320A 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） 3.5 毫欧 @ 100A，10V 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） 4V

2013-06

    IXFH12N90P

    IXYS

    2011

85000

TO-247

0元/数据列表 IXF(H,V)12N90P/PS 产品相片 TO-247-3 标准包装 30 类别 分立半导体产品 家庭 FET - 单 系列 Polar™ HiPerFET™ 包装 管件 FET 类型 MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能 标准 漏源极电压 (Vdss) 900V 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） 12A 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） 900 毫欧 @ 6A，10V 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） 6.5V @

2013-06

    CS45-16I01

    IXYS

    2012

56000

TO-247

0元/原装进口，深圳现货

2013-06

    IXXH75N60B3D1

    IXYS

    2012

11000

TO-247

0元/标准包装 30 类别 分立半导体产品 家庭 IGBT - 单路 系列 XPT™, GenX3™ 包装 管件 IGBT 类型 PT 电压 - 集射极击穿（最大值） 600V 不同 Vge、Ic 时的 Vce(on) 1.85V @ 15V，60A 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 160A Current - Collector Pulsed (Icm) - 功率 - 最大值 750W Switching Energy - 输入类型 标准 Gate Charge - Td (

2013-06

    DSEI2X101-12A

    IXYS

    2012

5500

TO-247

0元/数据列表 DSEI2X101-12A 产品相片 SOT-227B,MINIBLOC Pkg 标准包装 10 类别 半导体模块 家庭 二极管，整流器 系列 - 包装 管件 不同 If 时的电压 - 正向 (Vf) 1.87V @ 100A 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 3mA @ 1200V 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管） 91A 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） 1200V（1.2kV） 反向恢复时间 (trr) 60ns 二极管类型 标准 速度 快速恢

2013-06

    DSS2X101-015A

    IXYS

    2012

4500

TO-247

0元/数据列表 DSS2X101-015A 产品相片 SOT-227B,MINIBLOC Pkg 标准包装 10 类别 半导体模块 家庭 二极管，整流器 系列 - 包装 管件 不同 If 时的电压 - 正向 (Vf) 910mV @ 100A 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 4mA @ 150V 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管） 100A 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） 150V 反向恢复时间 (trr) - 二极管类型 肖特基 速度 快速恢复 = 200mA（

2013-06

    DSEI2X61-06C

    IXYS

    2012

65000

TO-247

0元/数据列表 DSEI2X61-04C/06C 产品相片 SOT-227B,MINIBLOC Pkg 标准包装 10 类别 半导体模块 家庭 二极管，整流器 系列 FRED 包装 管件 不同 If 时的电压 - 正向 (Vf) 1.8V @ 60A 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 200µA @ 600V 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管） 60A 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） 600V 反向恢复时间 (trr) 50ns 二极管类型 标准 速度 快速恢复 =

2013-06

    TK12A60D

    TOSHIBA

    2012

6800

TO-220F

0元/TK12A60D 12A/600V TO-220F 13+ TK12A60D 12A/600V TO-220F 14+ TK12A60D 12A/600V TO-220F 15+ TK12A60D 12A/600V TO-220F 16+ TK12A60D 12A/600V TO-220F 17+ TK12A60D 12A/600V TO-220F 18+ TK12A60D 12A/600V TO-220F 19+

2013-06

    TK12A60U

    TOSHIBA

    2011

5800

TO-220F

0元/原装进口，深圳现货

2013-06

    TK11A60D

    TOSHIBA

    2011

6500

TO-220F

0元/原装进口，深圳现货

2013-06

    TK15A50D

    TOSHIBA

    2012

6850

TO-220

0元/原装进口，假一赔十

2013-05

    TK11A55D

    TOSHIBA

    2011

6800

TO-220

0元/原装进口，假一赔十

2013-05

    16CTU04STRLPBF

    XILINX

    2012

85000

D2-PAK

0元/原装进口，假一赔十，深圳现货

2013-05

    16CTU04STRLPBF

    VISHAY

    2011

4600

D-PAK

0元/原装进口，深圳现货

2013-05