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可控硅移相电路

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所 在 地: 中国 
发布时间:2015-03-20

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产品介绍

可控硅移相触发电路适用于单相、三相全控桥式供电装置中,作可控硅的双路脉冲移相触发。器件输出两路相差180度的移相脉冲,可以方便地构成全控桥式触发器线路。电路具有输出负载能力大、移相性能好、正负半周脉冲相位均衡性好、移相范围宽、对同步电压要求低,有脉冲列调制输出端等功能与特点。 一、电路工作原理: 电路由同步检测电路、锯齿波形成电路、偏形电压、移相电压及锯齿波电压综合比较放大电路和功率放大电路四部分组成。电原理见下图:锯齿波的斜率决定于外接电阻R6、RW1,流出的充电电流和积分电容C1的数值。对不同的移相控制电压VY,只有改变权电阻R1、R2的比例,调节相应的偏移电压VP。同时调整锯齿波斜率电位器RW1,可以使不同的移相控制电压获得整个移相范围。触发电路为正极性型,即移相电压增加,导通角增大。R7和C2形成微分电路,改变R7和 C2的值,可获得不同的脉宽输出。 四、电参数: 电源电压:直流+15V、-15V,允许波动土5%(±10%时功能正常)。 KJ004 电源电流:正电流≤15mA,负电流≤10mA。 同步电压:任意值。 同步输入端允许最大同步电流:6mA(有效值) 移相范围≥1700(同步电压30V,同步输入电阻15kΩ) 锯齿波幅度:≥10V(幅度以锯齿波平顶为准)。 输出脉冲: (1)宽度:400μS—2mS(通过改变脉宽阻容元件达到)。 (2)幅度:≥13V。 (3)最大输出能力100mA(流出脉冲电流)。 (4)输出管反压:BVCEO≥18V(测试条件Ie≤100μA)。 正负半周脉冲相位不均衡≤±30。 使用环境温度为四级:C:0—70℃ R:-55—85℃ E:-40—85℃ M:-55—125℃
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