产品介绍

目前SRAM,SDRAM大厂主要有SAMSUNG,MICRON,HYNIX,ISSI,CYPRESS等，由于各厂商策略原因，要么供货周期较长，要么价格较贵，还有的版本更新过快。针对以上情况，今天我就给大家推荐一款专注于工业级SRAM,SDRAM,DDR存储器件—美国ALLIANCE（不改版，不停产）。 ALLIANCE公司从半导体联盟获得的快速异步产品线。包括制造权，光罩组，IP，设计数据库，专利权和快速SRAM库存。该产品系列包括密度从64K到在这两个x8和x16配置4M快速SRAM。该公司的战略将集中在这些“遗产”的回忆，支持工业和通信市场空间。 SDRAM的主要参数　(1) 容量。SDRAM的容量经常用XX存储单元×X体×每个存储单元的位数来表示。例如某SDRAM芯片的容量为4M×4×8bit，表明该存储器芯片的容量为16 M字节。或128 M bit。(2) 时钟周期。它代表SDRAM所能运行的最大频率。显然，这个数字越小说明SDRAM芯片所能运行的频率就越高。对于一片普通的PC-100 SDRAM来说，它芯片上的标识10代表了它的运行时钟周期为10 ns，即可以在100 MHz的外频下正常工作。例如芯片上标有7.5，表示它可以运行在133MHz的频率上。(3) 存取时间。目前大多数SDRAM芯片的存取时间为5、6、7、8或10 ns，但这可不同于系统时钟频率。比如芯片厂家给出的存取时间为7 ns而不是存取周期。因此，它的系统时钟周期要长一些，例如10 ns，即外频为100 MHz。(4) CAS的延迟时间。这是列地址脉冲的反应时间。现在大多数的SDRAM(当外频为100 MHz时)都能运行在CASLatency(CL)＝2或3的模式下，也就是说，这时它们读取数据的延迟时间可以是两个时钟周期也可以是三个时钟周期。在SDRAM的制造过程中，可以将这个特性写入SDRAM的EEPROM中，在开机时主板的BIOS就会检查此项内容，并以CL＝2这一默认的模式运行。(5) 综合性能的评价。对于PC 100内存来说，就是要求当CL＝3的时候，tCK(时钟周期) 的数值要小于10 ns，tAC要小于6 ns。至于为什么要强调是CL＝3的时候呢，这是因为对于同一个内存条，当设置不同CL数值时，tCK的值很可能是不相同的，当然tAC的值也是不太可能相同的。总延迟时间的计算公式一般为：总延迟时间＝系统时钟周期×CL模式数＋存取时间例如，某PC100内存的存取时间为6 ns，我们设定CL模式数为2(即CAS Latency＝2)，则总延迟时间＝10 ns×2＋6 ns＝26 ns。这就是评价内存性能高低的重要数值。

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