产品介绍

2SC3356电性能参数（TA=25℃）：

击穿电压:V(BR)CEO=12V,V(BR)CBO=20V,V(BR)EBO=3.0V 　　直流放大系数hFE:40～250 @VCE=3V,IC=7mA 　　集电极-基极截止电流ICBO:100nA(最大值) 　　发射极-基极截止电流IEBO:100nA(最大值) 　　特征频率fT:5.0GHz@VCE=3V,IC=7mA 　　集电极允许电流IC：0.1（A） 　　集电极最大允许耗散功率PT：0.2（W） 　　插入功率增益∣S21∣：9dB@IC=7mA,VCE=3V,f=1GHz 　　噪声系数NF：1.2dB@IC=7mA,VCE=3V,f=1GHz 　　反馈电容Cre：0.65 pF @ IC=ic=0,VCB=10V,f=1MHz。 　　贮存温度Tstg:-65~150℃ 　　封装形式：SOT-23,或者SOT-323,或者SC-59 　　功率特性：中功率 　　极性：NPN型 　　结构：扩散型 　　材料：硅(Si) 　　封装材料：塑料封装 

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高频管2SC4226

【产品特性】

1.2SC4226硅超高频低噪声晶体管是一种基于N型外延层的晶体管,具有高功率增益、低躁声特性、大动态范围和理想的电流特性。 

2.主要应用 2SC4226主要用于VHF、UHF低电压低噪声放大器。 

3.主要特性高增益: ︱S21︱2典型值为9dB @f=1GHz、Vce=3V、Iceo=7mA 低躁声: NF典型值为1.5dB @f=1GHz、Vce=3V、Iceo=7mA 特征频率: fT典型值为4.5GHz @Vce=3V、Ic=7mA 

4.极限工作条件范围(T=25℃)：集电极基极击穿电压 VCBO 20 V 集电极发射极击穿电压VCEO 12 V 发射极基极击穿电压 VEBO 3 V 集电极电流IC 100 mA 功耗PC 150 mW 结温度Tj 150 ℃ 存储温度Tstg -65~+150 ℃ 

5.HFE规格等级：

标号： R23/R24/R25 

HFE： 50-100/80-150/125-300 

6.电学特性(T=25℃) 集电极基极击穿电压 BVCBO 20V 集电极基极漏电流 ICBO 0.1 uA发射极基极电流 IEBO 1.0 uA 直流增益 HFE 50-300 特征频率 fT 4.5 GHz 输出反馈电容 Cre 1.0 pF功率增

【品牌简介】

台湾信成（SR）半导体为主要致力于中高频微波管，整流二极管，肖特基二极管，TVS管及电源IC,通用IC的设计,产品主要应用于卫星接收机顶盒、CATV放大模块,通讯,照明,仪表、电源板等电子产品.

【我司概述】

深圳市秉诚科技有限公司专业经销电子元器件，SR为我司自主品牌，自产自销，封装工艺优良。