GAL20RA10Features
高性能E2CMOS 技术
- 7.5 ns的最大传输延迟
- 83.3兆赫的Fmax =
- 9 ns的最大时钟输入到数据输出
- mA输出的TTL兼容的8
- UltraMOS 先进的CMOS技术
50%至75%,减少权力从两极
- 75mA的典型电流Icc
有源上拉对所有引脚
E2的电池技术
- 可重构逻辑
- 细胞重新编程
- 100%Tested/100%的产率
- 高速电擦除“(<100毫秒)
- 20年的数据保存
十输出逻辑宏单元
- 独立可编程时钟
- 独立的异步复位和预置
- 注册或组合与极性
- 全功能及参数的兼容性PAL20RA10
预载和上电复位所有寄存器
- 100%的功能可测性
应用包括:
- 状态机控制
- 标准逻辑合并
- 多时钟逻辑设计
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