持续突破电压等级，将 GaN 打造为成熟可靠的功率半导体技术
“我们的 2200V PowiGaN™ 技术可为各类新一代高压电力系统提供充足的电压裕量，同时能够实现高开关频率，满足最大化功率密度的设计需求。”
Power Integrations 在不到两年的时间里实现了三个电压等级的突破，分别是 900V、1250V 及 1700V。1700V 的电压等级标志着氮化镓功率电子技术的重大突破，使得氮化镓设备能够在高电压应用中替代成本高昂的 FET。
高级应用工程师崔涵展示这款新 IC 在一块设计评估板上实现了 90% 的效率，适用于 60W 工业电源，具有两个独立调节的输出，无需 DC-DC 后级调节器。
AI 计算需求正在推动数据中心电源架构向更高效率和更高功率密度发展。我们业内首创的 1250V 和 1700V PowiGaN HEMT 器件可理想满足这些需求。Power Integrations 正与 NVIDIA 合作，加速向 800VDC 电源架构和兆瓦级机架的转型。
该白皮书在 2025 年 OCP 全球峰会上发布，NVIDIA™ 在会上分享了向 800 VDC 数据中心电源过渡以支持兆瓦级机架的见解。
行业首创的高压 GaN 电力器件，适用于广泛的应用
将反激输出功率翻倍至 440W
最新一代 TOPSwitch 开关电源 IC 在反激拓扑方面实现突破，将反激转换器的功率范围扩展至 440W，远超传统上必须采用更复杂的谐振和 LLC 拓扑的限制。
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适用于家电和工业用途
我们最多功能的单开关反激式电源供应 IC 系列提供三种带有 GaN 开关的电压等级，此外还有硅和 SiC 选项。设计工程师可以选择最适合其应用的开关选项，无需更改设计。
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功率因数校正 IC
唯一使用 GaN 技术的 PFC 控制器 IC，实现了 0.98 的功率因数，并在 PFC 阶段无需使用笨重的散热器。它支持最高 250W 输出，并可以并联使用，总输出功率达到 500W。
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应用指南、参考设计、设计套件与白皮书
