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哈尔滨特博科技有限公司
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最新产品

产品名称:【供应】锑化镓GaSb wafer
当前价格:1/组
最小起订:1
供货总量:1000
发 货 期:5天内发货
发布时间:2014-07-23

详细说明:

                                                      

                                               

 

 

单晶

掺杂

导电
类型

载流子浓度cm-3

位错密
cm-2

生长方法
最大尺寸

标准
基片

GaSb

None
None high R
Zn
Te
Te high R

P
P-
P+
N
N

1~2×1017
1~5
×1016
1~5
×1018
2~6
×1017
1~5
×1016

103

LEC
Φ3

Φ3″×0.5
Φ2″×0.5

 

Typical Electrical Properties

Dopant available

Te

Zn

Undoped

Type of conductivity

N

P

P

Concentration ( cm -3 )

1E17 - 5E18

2E17 - 4E18

x

Hall Mobility ( cm 2 / v.s. ) 

2500 - 3500

200 - 500

600 - 700

 

Standard Specifications

Growth method

LEC

Diameter ( mm )

50.8

Thickness ( um )

500 +/-25 um

Conductivity

Semi-conducting

Orientation

<100> , <111> , <110>

Off orientation

From 2° to 10° off

Flat options

EJ or US SEMI. Std .

Surface finish

One side or two sides polished

EPD ( cm-2)

< 1000 or < 10000

Grade

Epi polished grade , mechanical grade

Package method

Single wafer container with outer foil bag

   

 

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