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产品名称:【供应】C35 GTO缓冲吸收电容器
当前价格:50/枚
最小起订:100
供货总量:100000000
发 货 期:3天内发货
发布时间:2014-11-07

详细说明:

C35 GTO缓冲吸收电容器 型号 规格 价格(元) 尺寸(mm) 引出 C35 0.47vF/5000V 50 Φ53*L50 M6 价格仅供参考,以报价单为准。 主要应用/Application 广泛应用于GTO缓冲吸收以及大电流,高压场合。 Widely used in GTO snubber,high current and high voltage application. 产品特点/Characteristics 电介质:聚丙烯薄膜 结构:金属化膜内串结构 封装:外包阻燃迈拉胶带,阻燃(94V-0级)环氧封装 引出: M6或M8铜螺母引出 能承受大电流,高电压 低损耗、高稳定 具有自愈性 Dielectric:Polypropylene film Construction:Metalized film internal series connection Coating:Polyester tape wrapping with resin sealing. Flame retardant execution(UL94V-0) Terminals:Copper nut leads,threaded insert M5,M6 or M8 High current,high voltage Low losses,high stability Self healing 技术性能/Specifications 引用标准/Reference standards GB/T 17702 IEC 61071 工作温度范围/Operating temperature range -40℃~85℃ 容量范围/Capacitance 0.33μF~3.0μF 额定电压/Rated Voltage 4000Vdc~10 000Vdc 容量偏差/Tolerance ±5% ±10% 极间耐电压/Test voltage between terminals 1.5Ur(Vdc)10s 25℃±5℃ 极壳耐电压/Test voltage between terminals and case 3000V 50Hz 60s,25℃±5℃ 损耗角正切/Dissipation factor tgδ≤8×10-4 at 25℃±5℃,1kHz 绝缘电阻/Insulation resistance C×R≥30000s,at 100Vdc,25℃±5℃,60s 预期寿命/Life expectancy 200000h at Ur and 70℃ 此产品关键字: IGBT吸收电容、IGBTSNUBBER、IGBT吸收电容厂家、IGBT吸收电容价格 华裕电容-高品质金属化薄膜电容专业制造商 全国免费咨询热线:400-850-5811 电力电子电容专线:020-66311928 66311927 66311929 87022531 87022473 市场部专线:020--66311911 66311912 66311913 电力工业事业部韩经理:020-66311928 电力工业事业部陈经理:020-66311929 传真:020--66311920 87023473 手机:18665682511 邮箱:hydl@hy-el.com hy@hy-el.com http://www.hy-el.com http://www.gdhyel.com

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