频率范围：5~40MHz；工作电压：5.0V、3.3V；频率公差：≦±2ppm（at 25℃）；频率稳定度Vs电压：≦±0.3ppm（±5%VDD）；频率稳定度Vs负载：≦±0.2ppm（±10%）；老化率：≦±1.0ppm/year；工作电流：≦3.5mA(正弦波）、≦6mA(CMOS)；输出电平（CMOS）：≧90%VDD(“1”) 、≦10% VDD(“0”)、45%~55%（占空比）；输出电平（正弦波）：0.8VP-P；负载：15PF(CMOS)、10KΩ//10PF（正弦波）；控制电压范围：0.5~2.5V；牵引范围：≧±5.0ppm；输入阻抗：≧100KΩ；开始时间：≦2mSec；相位噪声@12.8MHz：-120dBc/Hz(100Hz),-148dBc/Hz(10KHz)；工作温度：-10~+60℃、-20~+70℃、-40~+85℃；温度频差：±0.05ppm~±0.5ppm；储存温度-55~+125℃。