详细说明：

氮化镓技术因其在低功耗、小尺寸等特性设计上的独特优势和成熟规模化的生产能力，近年来在功率器件市场大受欢迎。在前不久举办的EEVIA第五届ICT技术趋势论坛上，这个主题受到国内媒体的集体“围观”。将富士通电子旗下代理产品线Transphorm公司独特GaN技术和产品方案第一次带到中国媒体面前，采用创新的Cascode结构的HEMT高压产品让Transphorm在氮化镓功率表技术领域剑走偏锋，成为该阵营的领头羊。 氮化镓相关器件有: 型号 封装 电压 电流 TPH3002LD PQFN88 600 9 0.29 GaN HEMT,常断, 漏极标签 TPH3002LS PQFN88 600 9 0.29 GaN HEMT, 常断, 源极标签 TPH3002PD TO-220 600 9 0.29 GaN HEMT, 常断, 漏极标签 TPH3002PS TO-220 600 9 0.29 GaN HEMT, 常断, 源极标签 TPH3006LD PQFN88 600 17 0.15 GaN HEMT, 常断, 漏极标签 TPH3006LS PQFN88 600 17 0.15 GaN HEMT, 常断, 源极标签 TPH3006PD TO-220 600 17 0.15 GaN HEMT, 常断, 漏极标签 TPH3006PS TO-220 600 17 0.15 GaN HEMT, 常断, 源极标签 TPH3202LD PQFN88 600 9 0.29 GaN HEMT, 常断, 漏极标签 TPH3202LS PQFN88 600 9 0.29 GaN HEMT, 常断, 源极标签 TPH3202PD TO-220 600 9 0.29 GaN HEMT, 常断, 漏极标签 TPH3202PS TO-220 600 9 0.29 GaN HEMT, 常断, 源极标签 TPH3205WS TO-247 600 34 0.063 GaN HEMT, 常断, 源极标签 TPH3206LD PQFN88 600 17 0.15 GaN HEMT, 常断, 漏极标签 TPH3206LS PQFN88 600 17 0.15 GaN HEMT, 常断, 源极标签 TPH3206PD TO-220 600 17 0.13 GaN HEMT, 常断, 漏极标签 TPH3208PS TO-220 650 17 0.13 GaN HEMT, 常断, 源极标签 TPH3208PD PQFN88 650 17 0.13 GaN HEMT, 常断, 漏极标签 TPH3208LS PQFN88 650 17 0.13 GaN HEMT, 常断, 源极标签 TPH3208LDG PQFN88 650 17 0.13 GaN HEMT, 常断, 漏极标签 TPH3212PS TO-220 650 17 0.13 GaN HEMT, 常断, 源极标签 TPH3207WS TO-247 650 17 0.13 GaN HEMT, 常断, 漏极标签 TPD3215M TO-220 650 17 0.34 GaN HEMT, 常断, 源极标签