详细说明：

ME8205，系列 共漏极N沟道增强型功率场效应（MOSFET），采用高单元密度的DMOS沟道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。MEM8205适用于低压应用，例如移动电话，笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路。

特点:
● 20V/6A
● RDS(ON) =20mΩ@ VGS=4.5V,ID=6A
● RDS(ON) =21mΩ@ VGS=3.85V,ID=5A
● RDS(ON) =26mΩ@ VGS=2.5V,ID=4A
● 超大密度单元、极小的RDS(ON)）
● 两种封装：TSSOP8、SOT23-6