详细说明：

IAE200X
InGaAs 雪崩二极管器件
品牌：Lasercomponents
封装：S5，S6，S7，T6，T8，Y1
型号：IAE200S5(TO-46 2pin)，IAE200S6(TO-46 3pin)，IAE200S7(TO-46 low profile)，
      IAE200T6(TO-37 with TEC)，IAE200T8(TO-37 with TEC)，IAE200Y1(ceramic submount)
击穿电压(Vb ld=10uA):40-80
尺寸(um):Φ200
波峰(nm):1550
响应波段(nm):1000-1650
主要特点有低噪声、快速响应、高灵敏度、高带宽、高增益、低造价、受光面大小可选，主要用于雪崩光电二极管单光子探测器，激光探测、测距、激光测距、激光经纬仪、警戒雷达、荧
光检测、微弱光检测及高端医疗设备等。

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