详细说明:
欢迎进入业界最先进的标准MOS产品阵营之一,并试用可靠且易用的MOSFET器件。对于空间和功率因素至关重要的应用,这些器件堪称理想选择。例如,我们的LFPAK功率MOSFET系列拥有超低导通电阻RDSon、高速开关能力以及最高达200 V的电压额定值。
产品型号 | 描述 | 产品状态 |
---|---|---|
2N7002 | 60 V,300 mA N沟道Trench MOSFET | Production |
2N7002BK | 60 V,350 mA N沟道Trench MOSFET | Production |
2N7002BKM | 60 V,450 mA N沟道Trench MOSFET | Production |
2N7002BKMB | 60 V,单N沟道Trench MOSFET | Production |
2N7002BKS | 60 V,300 mA双N沟道Trench MOSFET | Production |
2N7002BKV | 60 V,340 mA双N沟道Trench MOSFET | Production |
2N7002BKW | 60 V,310 mA N沟道Trench MOSFET | Production |
2N7002CK | 60 V,0.3 A N沟道Trench MOSFET | Production |
BSH111BK | 55 V, N-channel Trench MOSFET | Production |
BSH205G2 | 20 V, P-channel Trench MOSFET | Production |
BSN20BK | 60 V, N-channel Trench MOSFET | Production |
BSS138AKA | 60 V,单N沟道Trench MOSFET | Production |
BSS138BK | 60 V,360 mA N沟道Trench MOSFET | Production |
BSS138BKS | 60 V,320 mA双N沟道Trench MOSFET | Production |
BSS138BKW | 60 V,320 mA N沟道Trench MOSFET | Production |
BSS138P | 60 V,360 mA N沟道Trench MOSFET | Production |
BSS138PS | 60 V,320 mA双N沟道Trench MOSFET | Production |
BSS138PW | 60 V,360 mA N沟道Trench MOSFET | Production |
BSS84AK | 50 V,180 mA P沟道Trench MOSFET | Production |
BSS84AKM | 50 V,230 mA P沟道Trench MOSFET | Production |
BSS84AKMB | 50 V,单P沟道Trench MOSFET | Production |
BSS84AKS | 50 V,160 mA双P沟道Trench MOSFET | Production |
BSS84AKV | 50 V,170 mA双P沟道Trench MOSFET | Production |
BSS84AKW | 50 V,150 mA P沟道Trench MOSFET | Production |
Low RDSon MOSFETs in ultra-small DFN1010 single and dual package | 12 V - 80 V,P和N沟道Trench MOSFET,采用单、双和互补配置 | Production |
NX1029X | 60 / 50 V,330 / 170 mA N/P沟道Trench MOSFET | Production |
NX2020N2 | 30 V,N沟道Trench MOSFET | Production |
NX2020P1 | 30 V,单P沟道Trench MOSFET | Production |
NX2301P | 20 V,2 A P沟道Trench MOSFET | Production |
NX3008CBKS | 30 / 30 V,350 / 200 mA N/P沟道Trench MOSFET | Production |
NX3008CBKV | 30 / 30 V,400 / 220 mA N/P沟道Trench MOSFET | Production |
NX3008NBK | 30 V,400 mA N沟道Trench MOSFET | Production |
NX3008NBKMB | 30 V,单N沟道Trench MOSFET | Production |
NX3008NBKS | 30 V,350 mA双N沟道Trench MOSFET | Production |
NX3008NBKV | 30 V,400 mA双N沟道Trench MOSFET | Production |
NX3008NBKW | 30 V,350 mA N沟道Trench MOSFET | Production |
NX3008PBK | 30 V,230 mA P沟道Trench MOSFET | Production |
NX3008PBKMB | 30 V,单P沟道Trench MOSFET | Production |
NX3008PBKS | 30 V,200 mA双P沟道Trench MOSFET | Production |
NX3008PBKV | 30 V,220 mA双P沟道Trench MOSFET | Production |
NX3008PBKW | 30 V,200 mA P沟道Trench MOSFET | Production |
NX3020NAK | 30 V,单N沟道Trench MOSFET | Production |
NX3020NAKS | 30 V,180 mA双N沟道Trench MOSFET | Production |
NX3020NAKV | 30 V,200 mA双N沟道Trench MOSFET | Production |
NX3020NAKW | 30 V,180 mA N沟道Trench MOSFET | Production |
NX7002AK | 60 V,单N沟道Trench MOSFET | Production |
NX7002AKS | 60 V,双N沟道Trench MOSFET | Production |
NX7002AKW | 60 V,单N沟道Trench MOSFET | Production |
NX7002BK | 60 V,N沟道Trench MOSFET | Production |
NX7002BKM | 60 V,N沟道Trench MOSFET | Production |
NX7002BKMB | 60 V,N沟道Trench MOSFET | Production |
NX7002BKS | 60 V, dual N-channel Trench MOSFET | Production |
NX7002BKW | 60 V, single N-channel Trench MOSFET | Production |
PH20100S | N沟道TrenchMOS标准电平FET | Production |
PH2520U | N沟道TrenchMOS超低电平FET | Production |
PH2925U | N沟道TrenchMOS超低电平FET | Production |
PH3120L | N沟道TrenchMOS逻辑电平FET | Production |
PH4840S | N沟道TrenchMOS中间电平FET | Production |
PH955L | N沟道TrenchMOS逻辑电平FET | Production |
PHB110NQ08T | N沟道TrenchMOS标准电平FET | Production |
PHB18NQ10T | N沟道TrenchMOS标准电平FET | Production |
PHB191NQ06LT | N沟道TrenchMOS逻辑电平FET | Production |
PHB20N06T | N沟道TrenchMOS标准电平FET | Production |
PHB20NQ20T | N沟道TrenchMOS标准电平FET | Production |
PHB21N06LT | N沟道TrenchMOS逻辑电平FET | Production |
PHB27NQ10T | N沟道TrenchMOS标准电平FET | Production |
PHB29N08T | N沟道TrenchMOS标准电平FET | Production |
PHB32N06LT | N沟道TrenchMOS逻辑电平FET | Production |
PHB33NQ20T | N沟道TrenchMOS标准电平FET | Production |
PHB45NQ10T | N沟道TrenchMOS标准电平FET | Production |
PHB45NQ15T | N沟道TrenchMOS标准电平FET | Production |
PHB47NQ10T | N沟道TrenchMOS标准电平FET | Production |
PHB66NQ03LT | N沟道TrenchMOS逻辑电平FET | Production |
PHC21025 | 互补中间电平FET | Production |
PHC2300 | 互补增强型MOS晶体管 | Production |
PHD101NQ03LT | N沟道TrenchMOS逻辑电平FET | Production |
PHD20N06T | N沟道TrenchMOS标准电平FET | Production |
PHD38N02LT | N沟道TrenchMOS逻辑电平FET | Production |
PHD71NQ03LT | N沟道TrenchMOS逻辑电平FET | Production |
PHD97NQ03LT | N沟道TrenchMOS逻辑电平FET | Production |
PHD9NQ20T | N沟道TrenchMOS标准电平FET | Production |
PHK04P02T | P沟道垂直D-MOS逻辑电平FET | Production |
PHK12NQ03LT | N沟道TrenchMOS逻辑电平FET | Production |
PHK13N03LT | N沟道TrenchMOS逻辑电平FET | Production |
PHK18NQ03LT | N沟道TrenchMOS逻辑电平FET | Production |
PHK31NQ03LT | N沟道TrenchMOS逻辑电平FET | Production |
PHK5NQ15T | N沟道TrenchMOS标准电平FET | Production |
PHKD13N03LT | 双N沟道TrenchMOS逻辑电平FET | Production |
PHKD3NQ10T | 双N沟道TrenchMOS标准电平FET | Production |
PHKD6N02LT | 双N沟道TrenchMOS逻辑电平FET | Production |
PHN203 | 双N沟道TrenchMOS逻辑电平FET | Production |
PHN210T | 双N沟道TrenchMOS中间电平FET | Production |
PHP18NQ10T | N沟道TrenchMOS标准电平FET | Production |
PHP18NQ11T | N沟道TrenchMOS标准电平FET | Production |
PHP191NQ06LT | N沟道TrenchMOS逻辑电平FET | Production |
PHP20N06T | N沟道TrenchMOS标准电平FET | Production |
PHP20NQ20T | N沟道TrenchMOS标准电平FET | Production |
PHP225 | 双P沟道中间电平FET | Production |
PHP23NQ11T | N沟道TrenchMOS标准电平FET | Production |
PHP27NQ11T | N沟道TrenchMOS标准电平FET | Production |
PHP28NQ15T | N沟道TrenchMOS标准电平FET | Production |
PHP29N08T | N沟道TrenchMOS标准电平FET | Production |
PHP30NQ15T | N沟道TrenchMOS标准电平FET | Production |
PHP33NQ20T | N沟道TrenchMOS标准电平FET | Production |
PHP36N03LT | N沟道TrenchMOS逻辑电平FET | Production |
PHP45NQ10T | N沟道TrenchMOS标准电平FET | Production |
PHP45NQ11T | N沟道TrenchMOS标准电平FET | Production |
PHP79NQ08LT | N沟道TrenchMOS逻辑电平FET | Production |
PHP9NQ20T | N沟道TrenchMOS标准电平FET | Production |
PMC85XP | 30 V P沟道MOSFET,具有预偏置NPN晶体管 | Production |
PMCM4401VNE | 12V, N-channel Trench MOSFET | Production |
PMCM4401VPE | 12 V, P-channel Trench MOSFET | Production |
PMCM440VNE | 12 V, N-channel Trench MOSFET | Production |
PMCM6501VNE | 12 V, N-channel Trench MOSFET | Production |
PMCM6501VPE | 12 V, P-channel Trench MOSFET | Production |
PMCM650VNE | 12 V, N-channel Trench MOSFET | Production |
PMCPB5530X | 20 V,互补Trench MOSFET | Production |
PMDPB30XN | 20 V,双N沟道Trench MOSFET | Production |
PMDPB55XP | 20 V,双P沟道Trench MOSFET | Production |
PMDPB58UPE | 20 V双P沟道Trench MOSFET | Production |
PMDPB70XP | 30 V,双P沟道Trench MOSFET | Production |
PMDPB70XPE | 20 V双P沟道Trench MOSFET | Production |
PMDPB80XP | 20 V,双P沟道Trench MOSFET | Production |
PMDPB85UPE | 20 V双P沟道Trench MOSFET | Production |
PMDT290UCE | 20 / 20 V,800 / 550 mA N/P沟道Trench MOSFET | Production |
PMDT290UNE | 20 V,800 mA双N沟道Trench MOSFET | Production |
PMDT670UPE | 20 V,550 mA双P沟道Trench MOSFET | Production |
PMF170XP | 20 V,1 A P沟道Trench MOSFET | Production |
PMFPB8032XP | 20 V,3.7 A / 320 mV VF P沟道MOSFET肖特基系列 | Production |
PMFPB8040XP | 20 V,3.7 A / 440 mV VF P沟道MOSFET肖特基系列 | Production |
PMG85XP | 20 V,2 A P沟道Trench MOSFET | Production |
PMGD290UCEA | 20 / 20 V,725 / 500 mA N/P沟道Trench MOSFET | Production |
PMK30EP | P沟道TrenchMOS极低电平FET | Production |
PMK35EP | P沟道TrenchMOS极低电平FET | Production |
PMK50XP | P沟道TrenchMOS极低电平FET | Production |
PML260SN | N沟道TrenchMOS标准电平FET | Production |
PML340SN | N沟道TrenchMOS标准电平FET | Production |
PMN27UP | 20 V,5.7 A P沟道Trench MOSFET | Production |
PMN27XPE | 20 V,单P沟道Trench MOSFET | Production |
PMN34UP | 20 V,5 A P沟道Trench MOSFET | Production |
PMN40UPE | 20 V,单P沟道Trench MOSFET | Production |
PMN42XPE | 20 V,单P沟道Trench MOSFET | Production |
PMN48XP | 20 V,4.1 A P沟道Trench MOSFET | Production |
PMN50UPE | 20 V,单P沟道Trench MOSFET | Production |
PMN70XPE | 20 V,单P沟道Trench MOSFET | Production |
PMN80XP | 20 V,单P沟道Trench MOSFET | Production |
PMPB10XNE | 20 V,单N沟道Trench MOSFET | Production |
PMPB11EN | 30 V N沟道Trench MOSFET | Production |
PMPB13XNE | 30 V,单N沟道Trench MOSFET | Production |
PMPB15XN | 20 V,单N沟道Trench MOSFET | Production |
PMPB15XP | 12 V,单P沟道Trench MOSFET | Production |
PMPB19XP | 20 V,单P沟道Trench MOSFET | Production |
PMPB20EN | 30 V N沟道Trench MOSFET | Production |
PMPB20XPE | 20 V,单P沟道Trench MOSFET | Production |
PMPB215ENEA | 80 V,单N沟道Trench MOSFET | Production |
PMPB23XNE | 20 V,单N沟道Trench MOSFET | Production |
PMPB27EP | 30 V,单P沟道Trench MOSFET | Production |
PMPB29XNE | 30 V,单N沟道Trench MOSFET | Production |
PMPB29XPE | 20 V,单P沟道Trench MOSFET | Production |
PMPB33XN | 30 V 单N沟道Trench MOSFET | Production |
PMPB33XP | 20 V,单P沟道Trench MOSFET | Production |
PMPB40SNA | 60 V N沟道Trench MOSFET | Production |
PMPB43XPE | 20 V,单P沟道Trench MOSFET | Production |
PMPB47XP | 30 V,单P沟道Trench MOSFET | Production |
PMPB48EP | 30 V,单P沟道Trench MOSFET | Production |
PMPB85ENEA | 60 V,单N沟道Trench MOSFET | Production |
PMPB95ENEA | 80 V,单N沟道Trench MOSFET | Production |
PMV130ENEA | 40 V,N沟道Trench MOSFET | Production |
PMV160UP | 20 V,1.2 A P沟道Trench MOSFET | Production |
PMV16XN | 20 V, N-channel Trench MOSFET | Production |
PMV20EN | 30 V,N沟道Trench MOSFET | Production |
PMV20XNE | 30 V, N-channel Trench MOSFET | Production |
PMV250EPEA | 40 V,P沟道Trench MOSFET | Production |
PMV27UPE | 20 V,P沟道Trench MOSFET | Production |
PMV30UN2 | 20 V,N沟道Trench MOSFET | Production |
PMV32UP | 20 V,4 A P沟道Trench MOSFET | Production |
PMV33UPE | 20 V,单P沟道Trench MOSFET | Production |
PMV37EN2 | 30 V,N沟道Trench MOSFET | Production |
PMV40UN2 | 30 V,N沟道Trench MOSFET | Production |
PMV45EN2 | 30 V,N沟道Trench MOSFET | Production |
PMV48XP | 20 V,3.5 A P沟道Trench MOSFET | Production |
PMV50UPE | 20 V,单P沟道Trench MOSFET | Production |
PMV50XP | 20 V, P-channel Trench MOSFET | Production |
PMV65XP | 20 V,单P沟道Trench MOSFET | Production |
PMV65XPE | 20 V,P沟道Trench MOSFET | Production |
PMV75UP | 20 V,P沟道Trench MOSFET | Production |
PMZ1200UPE | 30 V, P-channel Trench MOSFET | Production |
PMZ130UNE | 20 V, N-channel Trench MOSFET | Production |
PMZ200UNE | 30 V, N-channel Trench MOSFET | Production |
PMZ290UNE | 20 V,N沟道Trench MOSFET | Production |
PMZ290UNE2 | 20 V, N-channel Trench MOSFET | Production |
PMZ320UPE | 30 V, P-channel Trench MOSFET | Production |
PMZ350UPE | 20 V,P沟道Trench MOSFET | Production |
PMZ370UNE | 30 V,N沟道Trench MOSFET | Production |
PMZ390UNE | 30 V, N-channel Trench MOSFET | Production |
PMZ550UNE | 30 V, N-channel Trench MOSFET | Production |
PMZ600UNE | 20 V,N沟道Trench MOSFET | Production |
PMZ950UPE | 20 V,P沟道Trench MOSFET | Production |
PMZB1200UPE | 30 V, P-channel Trench MOSFET | Production |
PMZB150UNE | 20 V, N-channel Trench MOSFET | Production |
PMZB200UNE | 30 V, N-channel Trench MOSFET | Production |
PMZB290UN | 20 V,单N沟道Trench MOSFET | Production |
PMZB290UNE | 20 V,单N沟道Trench MOSFET | Production |
PMZB290UNE2 | 20 V, N-channel Trench MOSFET | Production |
PMZB320UPE | 30 V, P-channel Trench MOSFET | Production |
PMZB350UPE | 20 V,单P沟道Trench MOSFET | Production |
PMZB370UNE | 30 V,单N沟道Trench MOSFET | Production |
PMZB390UNE | 30 V, N-channel Trench MOSFET | Production |
PMZB550UNE | 30 V, N-channel Trench MOSFET | Production |
PMZB600UNE | 20 V,N沟道Trench MOSFET | Production |
PMZB670UPE | 20 V,单P沟道Trench MOSFET | Production |
PMZB950UPE | 20 V,P沟道Trench MOSFET | Production |
PSMN004-60B | N沟道TrenchMOS SiliconMAX标准电平FET | Production |
PSMN005-30K | N沟道TrenchMOS SiliconMAX逻辑电平FET | Production |
PSMN005-75B | N沟道TrenchMOS SiliconMAX标准电平FET | Production |
PSMN005-75P | N沟道TrenchMOS SiliconMAX标准电平FET | Production |
PSMN006-20K | N沟道TrenchMOS SiliconMAX超低电平FET | Production |
PSMN008-75B | N沟道TrenchMOS SiliconMAX标准电平FET | Production |
PSMN009-100B | N沟道TrenchMOS SiliconMAX标准电平FET | Production |
PSMN009-100P | N沟道TrenchMOS SiliconMAX标准电平FET | Production |
PSMN011-30YLC | N沟道30 V 11.6 mΩ逻辑电平MOSFET,采用LFPAK封装,使用NextPower技术 | Production |
PSMN011-60ML | N沟道60 V 11.3 mΩ逻辑电平MOSFET,采用LFPAK33封装 | Production |
PSMN011-60MS | N沟道60 V 11.3 mΩ标准电平MOSFET,采用LFPAK33封装 | Production |
PSMN011-80YS | N沟道LFPAK 80 V 11 mΩ标准电平MOSFET | Production |
PSMN012-100YS | N沟道100 V 12mΩ标准电平MOSFET,采用LFPAK封装 | Production |
PSMN012-60YS | N沟道LFPAK 60 V,11.1 mΩ标准电平MOSFET | Production |
PSMN012-80BS | N沟道80 V 11 mΩ标准电平MOSFET,采用D2PAK封装 | Production |
PSMN012-80PS | N沟道80 V 11 mΩ标准电平MOSFET | Production |
PSMN013-100BS | N沟道100 V 13.9mΩ标准电平MOSFET,采用D2PAK封装 | Production |
PSMN013-100ES | N沟道100 V 13.9mΩ标准电平MOSFET,采用I2PAK封装。 | Production |
PSMN013-100PS | N沟道100 V 13.9mΩ标准电平MOSFET,采用TO220封装。 | Production |
PSMN013-100YSE | N沟道100 V 13 mΩ标准电平MOSFET,采用LFPAK56封装 | Production |
PSMN013-30MLC | N沟道30 V 13.6 mΩ逻辑电平MOSFET,采用LFPAK封装,使用NextPower技术 | Production |
PSMN013-30YLC | N沟道30 V 13.6 mΩ逻辑电平MOSFET,采用LFPAK封装,使用NextPower技术 | Production |
PSMN013-80YS | N沟道LFPAK 80 V 12.9 mΩ标准电平MOSFET | Production |
PSMN014-40YS | N沟道LFPAK 40 V,14 mΩ标准电平MOSFET | Production |
PSMN015-100B | N沟道TrenchMOS SiliconMAX标准电平FET | Production |
PSMN015-100P | N沟道TrenchMOS SiliconMAX标准电平FET | Production |
PSMN015-110P | N沟道TrenchMOS SiliconMAX标准电平FET | Production |
PSMN015-60BS | N沟道60 V 14.8 mΩ标准电平MOSFET,采用D2PAK封装 | Production |
PSMN015-60PS | N沟道60 V 14.8 mΩ标准电平MOSFET | Production |
PSMN016-100BS | N沟道100 V 16 mΩ标准电平MOSFET,采用D2PAK封装 | Production |
PSMN016-100PS | N沟道100 V 16 mΩ标准电平MOSFET,采用TO-220封装 | Production |
PSMN016-100YS | N沟道100 V 16.3 mΩ标准电平MOSFET,采用LFPAK封装 | Production |
PSMN017-30BL | N沟道30 V 17 mΩ逻辑电平MOSFET,采用D2PAK封装 | Production |
PSMN017-30EL | N沟道30 V 17 mΩ逻辑电平MOSFET,采用I2PAK封装 | Production |
PSMN017-30PL | N沟道30 V 17 mΩ逻辑电平MOSFET,采用TO220封装 | Production |
PSMN017-60YS | N沟道LFPAK 60 V 15.7 mΩ标准电平MOSFET | Production |
PSMN017-80BS | N沟道80 V 17 mΩ标准电平MOSFET,采用D2PAK封装 | Production |
PSMN017-80PS | N沟道80 V 17 mΩ标准电平MOSFET,采用TO220封装 | Production |
PSMN018-80YS | N沟道LFPAK 80 V 18 mΩ标准电平MOSFET | Production |
PSMN020-100YS | N沟道100 V 20.5mΩ标准电平MOSFET,采用LFPAK封装 | Production |
PSMN020-30MLC | N沟道30 V 18.1 mΩ逻辑电平MOSFET,采用LFPAK封装,使用TrenchMOS技术 | Production |
PSMN022-30BL | N沟道30 V 22.6 mΩ逻辑电平MOSFET,采用D2PAK封装 | Production |
PSMN022-30PL | N沟道30 V 22 mΩ逻辑电平MOSFET | Production |
PSMN025-100D | N沟道TrenchMOS SiliconMAX标准电平FET | Production |
PSMN026-80YS | N沟道LFPAK 80 V 27.5 mΩ标准电平MOSFET | Production |
PSMN027-100BS | N沟道100 V 26.8 mΩ标准电平MOSFET,采用D2PAK封装。 | Production |
PSMN027-100PS | N沟道100 V 26.8 mΩ标准电平MOSFET,采用TO220封装。 | Production |
PSMN028-100YS | N沟道LFPAK 100 V 27.5 mΩ标准电平MOSFET | Production |
PSMN030-150B | N沟道TrenchMOS SiliconMAX标准电平FET | Production |
PSMN030-150P | N沟道TrenchMOS SiliconMAX标准电平FET | Production |
PSMN030-60YS | N沟道LFPAK 60 V 24.7 mΩ标准电平MOSFET | Production |
PSMN034-100BS | N沟道100 V 34.5 mΩ标准电平MOSFET,采用D2PAK封装。 | Production |
PSMN034-100PS | N沟道100 V 34.5 mΩ标准电平MOSFET,采用TO220封装。 | Production |
PSMN035-150B | N沟道TrenchMOS SiliconMAX标准电平FET | Production |
PSMN035-150P | N沟道TrenchMOS SiliconMAX标准电平FET | Production |
PSMN038-100K | N沟道TrenchMOS SiliconMAX标准电平FET | Production |
PSMN038-100YL | N沟道100 V 37.5 mΩ逻辑电平MOSFET,采用LFPAK56封装 | Production |
PSMN039-100YS | N沟道LFPAK 100 V 39.5 mΩ标准电平MOSFET | Production |
PSMN040-100MSE | N沟道100 V 36.6 mΩ标准电平MOSFET,采用LFPAK33封装,专为高功率PoE应用而设计 | Production |
PSMN041-80YL | N沟道80 V 41 mΩ逻辑电平MOSFET,采用LFPAK56封装 | Production |
PSMN045-80YS | N沟道LFPAK 80 V 45 mΩ标准电平MOSFET | Production |
PSMN050-80BS | N沟道80 V 46 mΩ标准电平MOSFET,采用D2PAK封装 | Production |
PSMN057-200B | N沟道TrenchMOS SiliconMAX标准电平FET | Production |
PSMN057-200P | N沟道TrenchMOS SiliconMAX标准电平FET | Production |
PSMN059-150Y | N沟道TrenchMOS SiliconMAX标准电平FET | Production |
PSMN063-150D | N沟道TrenchMOS SiliconMAX标准电平FET | Production |
PSMN069-100YS | N沟道LFPAK 100 V 72.4 mΩ标准电平MOSFET | Production |
PSMN070-200B | N沟道TrenchMOS SiliconMAX标准电平FET | Production |
PSMN070-200P | N沟道TrenchMOS SiliconMAX标准电平FET | Production |
PSMN075-100MSE | N沟道100 V 71 mΩ标准电平MOSFET,采用LFPAK33封装,专为PoE应用而设计 | Production |
PSMN085-150K | N沟道TrenchMOS SiliconMAX标准电平FET | Production |
PSMN0R7-25YLD | N-channel 25 V, 0.7 mΩ logic level MOSFET in LFPAK56 using NextPowerS3 Technology | Development |
PSMN0R9-25YLC | N沟道25 V 0.99 mΩ逻辑电平MOSFET,采用LFPAK封装,使用NextPower技术 | Production |
PSMN0R9-30YLD | N沟道30 V,0.87 mΩ逻辑电平MOSFET,采用LFPAK56封装,使用NextPowerS3技术 | Production |
PSMN102-200Y | N沟道TrenchMOS SiliconMAX标准电平FET | Production |
PSMN130-200D | N沟道TrenchMOS SiliconMAX标准电平FET | Production |
PSMN165-200K | N沟道TrenchMOS SiliconMAX标准电平FET | Production |
PSMN1R0-30YLC | N沟道30 V 1.15 mΩ逻辑电平MOSFET,采用LFPAK封装,使用NextPower技术 | Production |
PSMN1R0-30YLD | N沟道30 V,1.0 mΩ逻辑电平MOSFET,采用LFPAK56封装,使用NextPowerS3技
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