关于旁路电容的深度研讨


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　　通过一次关于基本知识的对话，让我们深入考察那没有什么魅

力但是极其关键的旁路电容和去耦电容。

David: 有一种观念认为，当我们做旁路设计时，我们对低频成分

要采用大电容(微法级)，而对高频成分要采用小电容(纳法或皮法

级)。

Tamara: 我赞成，那有什么错吗？

David: 那听起来很好并且是有意义的，但是，问题在于当我在实

验室中验证那个规则时并未得到我们想要的结果！我要向您发出挑

战，Tamara博士。

Tamara: 好啊！我无所畏惧。

David: 让我们看看，你有一个电压调整器并且它需要电源。电源

线具有一些串联阻抗(通常是电感以及电阻)，这样对于短路来说，

它在瞬间提供的电流就不会出现大变化。它需要有一个局部电容供

电

Tamara: 我到目前均赞成你的观点。那就是旁路的定义。Dave，接

着说吧。

David: 例如，有些人可能用0.1 μF电容进行旁路。他们也可能用

一个1000pF的电容紧挨着它以处理更高的频率。如果我们已经采用

了一个0.1 μF的电容，那么，紧挨着它加一个1000pF电容就没有

意义。它会增加1%的容值，谁会在意？

Tamara: 然而，除了电容值之外，有更多要研究的内容。这两种数

值的电容均不理想。

David: 我们必须考察0.1 μF的实际电路；它存在有效串联电阻

(ESR)以及有效串联电感(ESL)。

Tamara: 有时候，你还要把介质损耗一项当成一个并联电阻来考虑