最新技术使导通电阻达到了业内最低水平，有利于MOSFET OR-ing应用

　　中国，2007年11月30日 —意法半导体（纽约证券交易所：STM）今天推出一款型号为STV300NH02L的新的功率MOSFET，这款新产品的特性是导通电阻极低，达到微欧的水平，在要求严格的电源系统中，新产品有助于降低损耗，提高能效。这个高电流的N沟道MOSFET器件是为并联电源专门设计的，为了提高系统的可靠性，服务器广泛使用并联电源冗余结构。

　　ST开发出一项引线带楔焊键合创新技术，典型导通电阻Rds(on) 极低，只有800微欧 (0.8毫欧)，为高电流的MOSFET器件创造了一个新的工业基准。这款20V的产品是降低高效直流直流变换器二次侧功耗的理想器件，短路保护功能十分优越，关断时间极短。

　　关键系统经常使用并联电源来提供冗余电源，或者用于提高电源输出功率。过去这个功能通常使用二极管，现在，为了实现更高的性能，MOSFET取代了二极管。现在功耗低的STV300NH02L在电源效率上又向前迈出了一大步。

　　STV300NH02L采用PowerSO-10封装，订货1000件，单价4.50美元。