加利福尼亚州米尔皮塔斯 (MILPITAS, CA) – 2007 年 11 月 27 日 – 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速同步 MOSFET 驱动器 LTC4442/-1，该器件用来在同步整流转换器拓扑中驱动高端和低端 N 沟道功率 MOSFET。这种驱动器与凌力尔特公司很多 DC/DC 控制器组合使用时，可组成完整的高效率同步稳压器，该稳压器可用作降压或升压型 DC/DC 转换器。

　　这个强大的驱动器可以吸收高达 5A 电流和提供高达 2.4A 电流，非常适用于驱动大栅极电容、大电流 MOSFET。LTC4442/-1 还可以为较大电流应用驱动多个并联 MOSFET。当驱动 3000pF 负载时，12ns 快速上升时间以及高端 MOSFET 的 8ns 下降时间和低端 MOSFET 的 5ns 下降时间最大限度地降低了开关损耗。集成自适应贯通保护功能防止高端和低端MOSFET同时导通，从而最大限度地减少了死区时间。

　　LTC4442/-1 具有一个用于电源级关断的三态 PWM 输入，它与所有具备三态输出功能的多相控制器兼容。另外，该器件有一个单独的电源，用于输入逻辑与控制器集成电路的信号摆幅匹配，并在驱动器和逻辑电源端有欠压闭锁电路。该器件还在 6.2V 至 9.5V 的范围内驱动高端和低端 MOSFET 栅极，并在电源电压高达 38V 时工作。LTC4442-1 版本有较高的 6.2V VCC 欠压闭锁，而不是 3.2V，用来驱动标准 5V 逻辑 N 沟道 MOSFET。

　　LTC4442/-1 采用耐热增强型 MSOP-8 封装，在 -40oC 至 85oC 的温度范围内工作，以 1,000 片为单位批量购买，每片价格为 1.25 美元。

　　性能概要：LTC4442/-1

　　• 同步 N 沟道 MOSFET 驱动器
　　• 高驱动电流：提供 2.4A，吸收 5A
　　• 自适应零贯通保护
　　• 高端 MOSFET 栅极：驱动 3000pF 负载时，上升时间为 12ns，下降时间为 8ns
　　• 低端 MOSFET 栅极：驱动 3000pF 负载时，上升时间为 12ns，下降时间为 5ns
　　• 3 态 PWM 输入用于功率级关断
　　• 38V 最大电源电压
　　• 6.2V 至 9.5V 栅极驱动电压
　　• LTC4442 的 UVLO 为 3.2V
　　• LTC4442-1 的 UVLO 为 6.2V