在微缩CMOS和精密模拟CMOS技术中对偏压温度不稳定性——负偏压温度不稳定性（NBTI）和正偏压温度不稳定性（PBTI）——监测和控制的需求不断增加。当前NBTI1 的JEDEC标准将“测量间歇期的NBTI恢复”视为促进可靠性研究人员不断完善测试技术的关键。简单来说，当撤销器件应力时，这种性能的劣化就开始“愈合”。这意味着慢间歇期测量得出的寿命预测结果将过于乐观。因此，劣化特性分析得越快，（劣化）恢复对寿命预测的影响越小。此外，实验数据显示被测的劣化时间斜率（n）很大程度取决于测量时延和测量速度。2 因此，为了最小化测量延时并提高测量速度开发了几种测量技术。