可实现高性能和低损耗的突破性技术 对于工业、运输/汽车、医疗、航空航天、国防和通信市场领域的电力电子产品设计人员而言，碳化硅（SiC）半导体技术为他 们提供了一种创新选择，有助于提升系统效率、缩小产品尺寸并且适应更高的工作温度。我们的下一代SiC MOSFET和SiC SBD 设计在额定导通电阻或额定电流下具有较高的重复性非钳位感应开关（UIS）能力。我们的SiC MOSFET可保持较高的UIS能力 （每平方厘米约10–25焦耳（J/cm2））以及稳健的短路保护性能。Microchip的SiC肖特基势垒二极管（SBD）设计在低反向电 流下具有平衡的浪涌电流、正向电压、热阻和热电容额定值，可实现较低的开关损耗。此外，我们的SiC MOSFET和SiC SBD裸 片可以在模块中配合使用。Microchip的SiC MOSFET和SiC SBD产品将符合AEC-Q101标准。